岗位职责：
1、负责干法刻蚀、化学气相沉积CVD工艺的开发、优化与量产支持，涵盖介质、金属、硅等材料；
2、主导关键刻蚀、沉积制程： 氮化硅、氧化硅、硅TSV刻蚀、Ti、Al金属刻蚀及沉积氮化硅、氧化硅薄膜。
3、优化工艺关键参数控制： 刻蚀均匀性，形貌控制，选择比残留物与颗粒控制以及膜厚均匀性、折射率、膜层应力、致密性等；
4、参与新产品的工艺导入，制定刻蚀、沉积工艺流程、规范及控制计划；
5、分析干法刻蚀、沉积相关缺陷（如短路、开路、CD偏移、侧壁残留、聚合物残留、剥落、颗粒、非均匀、高应力、针孔漏电等），推动根本原因分析并实施纠正措施；
6、管理干法刻蚀、沉积设备的日常运行，协调设备维护、诊断与性能验证；
7、编写和维护工艺文件（SOP、FMEA、CP、ECN等），确保流程标准化与合规性；

任职资格：
1、熟悉干法刻蚀、沉积基本原理：掌握刻蚀速率、选择比、各向异性、均匀性、缺陷控制、气体输运、表面反应、沉积速率、成膜机制等；
2、了解工艺参数影响： 射频功率、压力、温度、气体流量比、膜层应力、折射率等；
3、能独立完成工艺调试、问题排查与良率提升且具备 DOE、SPC、FMEA 等分析应用能力；
4、具有出色的数据分析能力，熟练使用 Excel、JMP、Minitab 等工具；
5、熟悉 ISO9001质量体系 和EHS管理体系；
6、本科及以上学历，微电子、物理、材料科学、化学工程、光电或相关理工科专业；